CP測(cè)試和FT測(cè)試是芯片測(cè)試中的兩個(gè)模塊。CP指的是芯片在wafer的階段，就通過(guò)探針卡扎到芯片管腳上對(duì)芯片進(jìn)行性能及功能測(cè)試，有時(shí)候這道工序也被稱作WS（Wafer Sort）；FT指的是芯片在封裝完成以后進(jìn)行的最終測(cè)試，只有通過(guò)測(cè)試的芯片才會(huì)被出貨。

CP測(cè)試和FT測(cè)試的區(qū)別主要是以下內(nèi)容：

1)由于封裝本身可能會(huì)影響芯片的品質(zhì)和特性，因此芯片測(cè)試項(xiàng)目都必須在FT階段測(cè)試一遍，而CP階段是可選的。

2）CP階段原則上只測(cè)量一些基本的DC，低速數(shù)字電路的功能，以及其他容易測(cè)試或必須測(cè)試的項(xiàng)目。一切都在FT階段可以測(cè)試，在CP階段難以測(cè)試的項(xiàng)目，能不測(cè)就盡量不測(cè)。

3）由于CP階段的測(cè)試精度往往不夠準(zhǔn)確，那么就可以適當(dāng)放寬判斷標(biāo)準(zhǔn)，只需完成初步篩選即可，而精細(xì)嚴(yán)格的測(cè)試放到FT階段。

4)如果封裝成本不高，芯片本身的產(chǎn)量已經(jīng)比較高。那么就可以考慮不做CP測(cè)試，或者CP階段只做抽樣測(cè)試，監(jiān)督過(guò)程。

5)新產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)，應(yīng)先完成FT測(cè)試程序的開(kāi)發(fā)核導(dǎo)入。在產(chǎn)品量產(chǎn)初期，FT測(cè)試遠(yuǎn)遠(yuǎn)比CP測(cè)試重要，當(dāng)產(chǎn)品達(dá)到一定數(shù)量后，再根據(jù)FT的實(shí)際情況制定和開(kāi)發(fā)CP測(cè)試。

那么以上內(nèi)容就是CP測(cè)試和FT測(cè)試的區(qū)別，希望對(duì)大家有所幫助，需要芯片測(cè)試治具的朋友可以聯(lián)系我們哦~